台积电昨天的年度技术研讨会上除了宣布了今后N5、N4、N3等重要工艺节点情况信息之外，还公布了N12e工艺，这是目前12nm FinFET紧凑型工艺的增强版，但并不是给那些原来用12nm的高性能产品升级所准备的，而是针对IOT物联网设备而准备的一个工艺节点。

N12e的Logo是绿色的，e上面也有环保的叶子标识，可以看得出这个工艺其实是主打节能的，它在12nm FinFET紧凑型工艺的基础上结合了Ultra-Low Leakage超低漏电技术，它是用来取代原来的22nm ULL工艺。

与22nm ULL相比N12e：逻辑密度提高了76%，这就允许进行更小巧，更经济高效的设计，或者在相同的面积内封装更多的晶体管，以添加计算内核和缓存；在同样功耗下频率提升49%，在同样频率下功耗下降55%，SRAM漏电流降低超过50%，并且支持低Vdd设计，最低支持0.4V的逻辑电压，这可降低主动功耗与漏电功耗支持电池供电产品延长电池寿命，这对于任何采用电池供电的微型设备来说尤其重要。

台积电的N12e工艺是针对5G处理器、Modem、无线耳机、智能手表、VR、可穿戴设备、入门级SoC等应用场景的，N12e能提供更高效能、更佳功率与更低漏电的要求，在各种产品特性要求之间提供最佳的平衡。